Gate 广场创作者新春激励正式开启,发帖解锁 $60,000 豪华奖池
如何参与:
报名活动表单:https://www.gate.com/questionnaire/7315
使用广场任意发帖小工具,搭配文字发布内容即可
丰厚奖励一览:
发帖即可可瓜分 $25,000 奖池
10 位幸运用户:获得 1 GT + Gate 鸭舌帽
Top 发帖奖励:发帖与互动越多,排名越高,赢取 Gate 新年周边、Gate 双肩包等好礼
新手专属福利:首帖即得 $50 奖励,继续发帖还能瓜分 $10,000 新手奖池
活动时间:2026 年 1 月 8 日 16:00 – 1 月 26 日 24:00(UTC+8)
详情:https://www.gate.com/announcements/article/49112
有个问题容易被忽视:当我们沉浸在财务数据和市场预期里,往往忽视了物理世界的铁律。芯片产业正在步入关键的转折点——摩尔定律的平面微缩已经走到尽头。
现实很残酷。单纯依靠缩小晶体管尺寸来提升性能和密度的时代基本结束了。产能扩张遇到了物理极限。这不是资本能砸出来的问题,而是物理学的约束。
那么破局点在哪?垂直堆叠。这是现在业界公认的唯一出路。3D NAND存储芯片的发展就是最好的案例——通过纵向堆叠晶体层,在相同的芯片面积上实现指数级的容量提升。这不仅绕过了平面微缩的死胡同,还打开了全新的产能想象空间。
关键是,这种产能释放需要时间、工艺验证和成本投入。产业能否顺利过渡,直接影响整个链条的供应格局和价格预期。