30 квітня 2026 року компанія Samsung Electronics оприлюднила квартальний фінансовий звіт, який приголомшив ринок: загальний дохід склав 133,9 трлн KRW, збільшившись на 43% порівняно з попереднім кварталом і злетівши на 69% у річному вимірі, встановивши новий абсолютний рекорд за один квартал. Операційний прибуток досяг 57,2 трлн KRW, підскочивши на 185% квартал до кварталу та злетівши на 756,1% у річному вимірі. Підрозділ Device Solutions, відповідальний за виробництво напівпровідників, зафіксував дохід у 81,7 трлн KRW і операційний прибуток у 53,7 трлн KRW — обидва показники стали рекордними для одного кварталу. Підрозділ DX повідомив про дохід у 52,7 трлн KRW і операційний прибуток лише 3 трлн KRW, при цьому напівпровідники забезпечили 93,9% загального операційного прибутку компанії.
Майже одночасно SK Hynix оприлюднила фінансовий звіт, у якому операційний прибуток зріс на 405% у річному вимірі: дохід склав 52,58 трлн KRW, збільшившись на 198% рік до року; операційний прибуток — 37,61 трлн KRW, операційна маржа — 72%, що перевищує показники TSMC (58%) та Micron (67,6%). SanDisk, яка відокремилася від Western Digital трохи більше року тому, спостерігає зростання ціни акцій приблизно на 3 640% з моменту IPO за $38,50 у лютому 2025 року, ще на 460% — станом на 2026 рік.
Однак за цими вражаючими цифрами тихо проявляються три тріщини. Вони не здатні негайно змінити цикл, але нагадують: навіть найяскравіший суперцикл має круті вершини.
Тріщина перша: дилема "надлишкового прибутку" Samsung — майже 48 000 співробітників ледь не вийшли на страйк
21 травня 2026 року масштабний страйк за участю близько 48 000 співробітників, який спочатку планували на 18 днів, був відвернений в останній момент. За посередництва міністра праці Республіки Корея керівництво Samsung Electronics та профспілка досягли попередньої домовленості щодо заробітної плати: 10,5% операційного прибутку від напівпровідникового бізнесу буде спрямовано до спеціального фонду бонусів. За оцінками, 28 000 працівників підрозділу пам’яті отримають цього року середній бонус у розмірі 600 млн KRW кожен, тоді як працівники мобільного та телевізійного підрозділів — лише 6 млн KRW, тобто різниця у 100 разів.
Ці цифри демонструють глибокий внутрішній розкол. Напівпровідниковий підрозділ забезпечує понад 93% операційного прибутку Samsung, тоді як підрозділ DX — включаючи мобільні телефони та побутову техніку — продовжує боротися з низькою маржею. Керівник мобільного бізнесу TM Roh вже попередив внутрішньо, що стрімке зростання витрат на закупівлю чипів пам’яті може призвести до першого річного збитку підрозділу у 2026 році. Професор Сеульського національного університету Сон Чже Хо підсумував проблему: "Коли співробітники з докторським ступенем у підрозділі DX отримують лише 6 млн KRW бонусу, а працівники з середньою освітою у напівпровідниковому підрозділі — 600 млн KRW, важко сприймати таку структуру як справедливу".
27 травня профспілка проголосувала за прийняття домовленості про заробітну плату майже 74% голосів, тимчасово припинивши загрозу страйку. Водночас аналітики KB Securities оцінюють, що 18-денний страйк міг би скоротити світову пропозицію DRAM на 3%-4%, а NAND — на 2%-3%. Хоча страйк не відбувся, цей епізод показав ключовий факт: коли суперцикл приносить безпрецедентні надлишкові прибутки, внутрішні напруження у розподілі можуть стати "чорним лебедем" для ланцюга постачання.
| Показник | Напівпровідниковий підрозділ Samsung | Підрозділ DX Samsung (мобільні пристрої/побутова техніка) |
|---|---|---|
| Дохід за Q1 2026 | 81,7 трлн KRW | 52,7 трлн KRW |
| Операційний прибуток за Q1 2026 | 53,7 трлн KRW | 3 трлн KRW |
| Середній річний бонус на працівника | Прибл. 600 млн KRW (підрозділ пам’яті) | Прибл. 6 млн KRW |
| Основні драйвери | Масове виробництво HBM4 + попит на сервери AI | Продажі флагману Galaxy S26 |
Тріщина друга: маржа традиційної DRAM перевищує HBM — дисбаланс попиту і пропозиції
Серйозно недооцінений сигнал надходить від виробничих рішень Samsung та SK Hynix.
14 квітня SK Hynix скоротила заплановані поставки HBM4 на 2026 рік, зменшивши обсяг для Nvidia приблизно на 20%-30% від попередніх планів. Компанія пояснила, що це не через слабкий попит, а результат цілеспрямованої оптимізації продуктового портфеля — переорієнтація потужностей на більш прибуткові HBM3E та серверні LPDDR-продукти.
Це повністю збігається з позицією Samsung. Під час квартального звіту Samsung повідомила, що HBM4 досягла глобального масового виробництва у лютому, але традиційні DRAM зараз перевищують HBM за рівнем прибутковості. Дані галузі свідчать: у Q1 2026 контрактні ціни на стандартну DRAM зросли з прогнозованих 55%-60% до 90%-95%. У Q2 контрактні ціни на звичайну DRAM продовжили зростати на 58%-63% квартал до кварталу. Ціни на мобільну DRAM для споживачів підскочили на 80% за один квартал. Наприклад, DDR5 16Gb зросла з $5,524 до близько $40 за рік — приріст на 627%.
Типове порівняння демонструє дисбаланс прибутковості: чипи HBM мають значно більші площі кристалу, ніж традиційна DRAM, що дає менше чипів з однієї пластини — виробництво 1 ГБ HBM споживає у 3-4 рази більше площі пластини, ніж традиційна DRAM. Під час цінових стрибків традиційна DRAM може забезпечити вищий прибуток на одиницю. Задля максимізації прибутку Samsung та SK Hynix переорієнтовують потужності, порушуючи раніше очікувану лінійну логіку "розширення виробництва HBM для пом’якшення дефіциту".
Глибша проблема полягає у двосторонньому "ефекті витіснення": HBM споживає величезні виробничі потужності (очікується, що до кінця 2026 року вона досягне 25% галузевої виробничої потужності, а до 2027 року — 31%), ще більше обмежуючи пропозицію традиційної DRAM і підвищуючи ціни. Водночас високі прибутки від традиційної DRAM стимулюють виробників інвестувати у старі потужності, уповільнюючи розширення HBM. Обидві категорії одночасно "дефіцитні" і "прибуткові", тимчасово порушуючи механізм самокорекції на стороні пропозиції.
Тріщина третя: капітальні витрати зросли з $83 млрд до $144 млрд — чому потужності не наздоганяють?
Найбільший парадокс ринку: капітальні витрати стрімко зростають, але дефіцит пропозиції лише посилюється.
Звіт JPMorgan від 22 квітня показав, що прогноз капітальних витрат світової індустрії пам’яті на 2027 рік підвищено з $83 млрд у вересні 2025 року до $144 млрд — приріст на 74%. План капітальних витрат Samsung на 2026 рік перевищує 110 трлн KRW (близько $73,3 млрд), що є історичним максимумом і на 21,7% більше, ніж у 2025 році. SK Hynix планує витратити близько $20,5 млрд, приріст на 17% рік до року.
Однак прогнозований приріст обсягу DRAM та NAND за той самий період складає лише близько 12%-14%. Стрімке зростання капітальних витрат не призвело до пропорційного збільшення потужностей — через три основні стримуючі чинники:
По-перше, споживання площі кристалу HBM. Виробництво 1 ГБ HBM споживає у 3-4 рази більше площі пластини, ніж традиційна DRAM, при виході лише 50%-60%. Ця структурна втрата не компенсується простою закупівлею нового обладнання. По-друге, тривалі терміни поставки обладнання. Samsung замовила близько 20 EUV-літографів у ASML на суму понад 10 трлн KRW, але доставка займає 18-24 місяці, а запуск нових виробничих ліній потребує щонайменше п’яти років від початку будівництва до повного виходу на потужності. По-третє, "стратегічна стриманість" виробників. Після великих збитків через помилки у прогнозуванні попиту у попередньому циклі Samsung та SK Hynix обережно ставляться до розширення потужностей традиційної DRAM.
| Вимір обмеження пропозиції | Конкретний прояв | Вплив на цикл |
|---|---|---|
| Споживання площі кристалу HBM | HBM використовує у 3-4 рази більше площі пластини порівняно з традиційною DRAM на тому ж вузлі | Зменшує ефективний вихід бітів на 7%-10% |
| Тривалі терміни поставки обладнання | Доставка EUV-літографів 18-24 місяці | Нова потужність затримується до кінця 2027 року або пізніше |
| Стратегічна стриманість виробників | Нові заводи потребують щонайменше п’яти років від будівництва до запуску | Обмежене додаткове розширення старих потужностей |
| Китайський фактор потужностей | ChangXin Memory планує новий завод на 2027 рік | Може стати найбільшим непередбачуваним фактором пропозиції |
Водночас дані дослідницької компанії Counterpoint ще більш агресивні: між 2026 і 2027 роками потужність DRAM має зростати на 12% для пом’якшення дефіциту, але фактичний приріст складає лише близько 7,5%. До кінця 2027 року світова пропозиція DRAM задовольнить лише близько 60% ринкового попиту.
Три сценарії: оптимісти, песимісти та компромісний підхід
Стійкість суперциклу пам’яті для AI породила три різні ринкові сценарії.
Оптимістичний сценарій: структурний дефіцит збережеться щонайменше до кінця 2027 року. UBS прогнозує, що суперцикл DRAM триватиме до кінця 2027 року, при цьому потужності, присвячені HBM, зростуть з 25% до 31%, а "олігополістична структура не має стимулів для конкурентного розширення". JPMorgan вважає, що суперцикл може тривати до 2027 або 2028 року.
Песимістичний сценарій: розворот циклу може настати у другій половині 2027 року. 18 травня колишній президент напівпровідникового підрозділу Samsung Кьон Кьє Хьон виступив із серйозним попередженням на форумі Національної інженерної академії Кореї: китайські компанії активно розширюють потужності, і глобальна структура пропозиції може зазнати суттєвих змін у другій половині 2027 року, а ціни ймовірно почнуть знижуватися. Він прогнозує, що ефект зниження цін стане повністю помітним не пізніше першої половини 2028 року. Якщо прибутковість інвестицій у AI розчарує, великі технологічні компанії можуть скоротити капітальні витрати — "тоді знизиться не лише ціна, а й попит".
Компромісний сценарій: цикл подовжиться, але не зникне; зміниться лише характер волатильності. SanDisk впроваджує "нову бізнес-модель" — фіксує майбутній багаторічний дохід довгостроковими контрактами на суму щонайменше $42 млрд та понад $11 млрд фінансових гарантій для захисту від зниження — змінюючи традиційну квартальну модель ціноутворення у галузі пам’яті. CEO Девід Гекелер зазначив: "Біль цієї індустрії завжди у циклічних сплесках і падіннях". Компромісна позиція є показовою: ринок пам’яті залишається циклічним, і хоча цей цикл може бути довшим і сильнішим, оцінки вже враховують значну частку оптимізму — JPMorgan встановила цільову ціну SK Hynix на рівні 1 млн KRW, виходячи з мультиплікатора 2,7x price-to-book, що на 30% перевищує історичні максимуми.
Оцінка достовірності сценаріїв: які ризики недооцінені?
Серед основних сценаріїв три часто недооцінені ризики заслуговують на увагу.
По-перше, ризик "замінників програмного та апаратного рівня". У березні 2026 року виник негативний настрій через побоювання, що оптимізація SRAM на апаратному рівні та компресія даних на програмному рівні можуть зменшити загальне споживання пам’яті AI-системами. Сам факт цієї суперечки показує, що історії попиту не є незмінними.
По-друге, межа стійкості downstream. У Q2 2026 ринок серверної DRAM продемонстрував явний торг: виробники наполягали на підвищенні цін, а клієнти відмовлялися приймати високі ціни, переходячи на вживані або відновлені чипи. Коли така заміна досягає критичної маси, це суттєво пригнічує контрактні ціни.
По-третє, ризик цінових бульбашок. Поточний коефіцієнт price-to-sales SanDisk становить близько 16x, тоді як на початку року він був лише 4,5x; ціна акцій досягла близько $1 410, зростання понад 460% у 2026 році. Навіть за сильних фундаментальних показників таке розширення оцінки означає, що будь-які новини про уповільнення замовлень можуть спричинити різкі корекції. Акції Samsung Electronics зросли приблизно на 100% з початку року, акції SK Hynix також злетіли — ринкова оцінка вже враховує два-три роки стійкого підйому, що само по собі є ризиком.
Аналіз впливу на галузь: хто несе витрати суперциклу?
Цей суперцикл не обходиться без витрат, і тягар лягає на найслабші ланки ланцюга постачання.
З боку постачання провідні виробники обмежили пропозицію через багаторівневі стратегії розподілу, жорстко контролюючи цінову політику: від поставок за квотами і NCNR-угод до вимоги авансових платежів за замовлення у квітні та травні 2026 року і фіксації довгострокових контрактів на 2027-2028 роки. Малим і середнім покупцям доводиться обирати: приймати надвисокі ціни на спот-ринку або залишитися без постачання. SK Hynix чітко заявила: у 2026 році жоден клієнт не зможе задовольнити повністю свої потреби, а постачальники мають абсолютну цінову владу.
На downstream у споживчій електроніці витрати на закупівлю DRAM і NAND, за прогнозами, складатимуть понад третину загальної вартості бюджетного смартфона до середини 2026 року. Виробники ПК змушені скуповувати компоненти у паніці, а деякі менші бренди переживають "еру нормування" у ланцюзі постачання — виконання великих замовлень тепер займає понад 20-40 тижнів. Навіть мобільний підрозділ Samsung ризикує вперше отримати річний збиток через стрімке зростання витрат на чипи пам’яті.
У AI-інфраструктурі дефіцит і висока ціна чипів пам’яті стають фізичним обмеженням, що стримує темпи розгортання обчислювальних потужностей AI. Хоча гіперскейл-провайдери хмарних сервісів забезпечили більшу частину доступних потужностей довгостроковими угодами, постійний дефіцит означає, що не кожен AI-проєкт отримує необхідне обладнання вчасно — можливо, це найіронічніший аспект цього циклу.
Висновок
Суперцикл пам’яті для AI — це справжній і глибокий структурний зсув, а не короткострокова хвиля, викликана гіпом. Це слід визнати насамперед. Від Samsung до SK Hynix і SanDisk фінансові показники ключових гравців демонструють одностайний напрям: попит AI на чипи пам’яті реальний, величезний і продовжує зростати.
Але жоден суперцикл не гарантує плавного розвитку. Внутрішні розколи Samsung, ієрархія прибутків між традиційною DRAM і HBM, відставання між капітальними витратами і введенням потужностей — жодна з цих тріщин не є фатальною окремо, але разом вони формують потенційні тригери для розвороту циклу. Особливо з урахуванням невизначеності щодо розширення потужностей у Китаї та прибутковості інвестицій у AI, 2027 рік може стати справжнім вододілом для цього суперциклу.
Ринок має остерігатися не моменту завершення суперциклу, а того, чи достатньо учасників підготували відповіді до того, як настане ця точка.




