A lógica central do HBM4E primeiro deixa a fabricação fazer a amostragem, essa rota é bem clara: primeiro estabilizar os blocos-chave.

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Samsung Electronics acelera o desenvolvimento da próxima geração de memória de alta largura de banda Primeira produção de HBM4E prevista para maio
A Samsung Electronics está empenhada em avançar rapidamente no desenvolvimento de sua próxima geração de memória de alta largura de banda (HBM), buscando consolidar ainda mais sua vantagem no mercado de memória de inteligência artificial de alta performance. Segundo relatos, a Samsung Electronics planeja produzir as primeiras amostras de HBM4E compatíveis com os padrões da Nvidia já em maio de 2026. Fontes do setor revelaram que a Samsung possui um cronograma claro e compacto. Seu objetivo é, até meados do próximo mês, fazer com que o departamento de terceirização produza com sucesso amostras do chip lógico central do HBM4E.
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