سامسونج إلكترونيكس تسرع في تطوير الجيل القادم من الذاكرة عالية النطاق الترددي أول دفعة من HBM4E ستُنتج في مايو
تعمل سامسونج إلكترونيكس على دفع عملية تطوير منتجات الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) من الجيل القادم بشكل كامل، بهدف تعزيز مكانتها في سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي عالية الأداء. وفقًا للتقارير، تخطط سامسونج لإنتاج أول دفعة من عينات HBM4E المطابقة لمعايير إنفيديا في أقرب وقت بحلول مايو 2026. كشف المطلعون على الصناعة أن لدى سامسونج خطة زمنية واضحة ومضغوطة. هدفها هو أن تتمكن وحدة التعاقد من إنتاج عينات من شرائح المنطق الأساسية لـ HBM4E بنجاح قبل منتصف الشهر المقبل.
تعمل سامسونج إلكترونيكس على دفع عملية تطوير منتجات الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) من الجيل القادم بشكل كامل، بهدف تعزيز مكانتها في سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي عالية الأداء. وفقًا للتقارير، تخطط سامسونج لإنتاج أول دفعة من عينات HBM4E المطابقة لمعايير إنفيديا في أقرب وقت بحلول مايو 2026. كشف المطلعون على الصناعة أن لدى سامسونج خطة زمنية واضحة ومضغوطة. هدفها هو أن تتمكن وحدة التعاقد من إنتاج عينات من شرائح المنطق الأساسية لـ HBM4E بنجاح قبل منتصف الشهر المقبل.


