Від швидкості ітерації HBM3 до HBM4E стає все швидше, і далі йдеться не лише про технології, а й про виробничі потужності та доставку.

Переглянути оригінал
God-givenTeam
Samsung Electronics прискорює розробку наступного покоління високошвидкісної пам’яті Перші зразки HBM4E будуть вироблені у травні
Samsung Electronics активно просуває процес розробки свого наступного покоління високошвидкісної пам’яті (HBM), прагнучи ще більше закріпити свої позиції на ринку високорівневої пам’яті для штучного інтелекту. За повідомленнями, Samsung Electronics планує найраніше у травні 2026 року виробити перші зразки HBM4E, що відповідають стандартам NVIDIA. Інсайдери повідомляють, що у Samsung є чіткий і стиснутий графік. Їхня мета — до середини наступного місяця успішно виробити зразки основних логічних чипів HBM4E у підрядника.
repost-content-media
Ця сторінка може містити контент третіх осіб, який надається виключно в інформаційних цілях (не в якості запевнень/гарантій) і не повинен розглядатися як схвалення його поглядів компанією Gate, а також як фінансова або професійна консультація. Див. Застереження для отримання детальної інформації.
  • Нагородити
  • Прокоментувати
  • Репост
  • Поділіться
Прокоментувати
Додати коментар
Додати коментар
Немає коментарів
  • Закріпити