DRAM снова достиг исторического рекорда: первая в мире полностью памяти ETF показывает рост почти на 150% за год?

2026 年 4 月 2 日，全球首只以纯内存芯片为投资主题的交易所交易基金——Roundhill Memory ETF（交易代码：DRAM）在 Cboe BZX 交易所正式挂牌。上线仅两个月，该 ETF 的价格从发行初期的约 28 美元一路上行至 50 美元上方，累计涨幅接近 150%，资产管理规模突破 100 亿美元，成为有史以来增长最快的 ETF 之一。截至 2026 年 6 月 2 日，DRAM 的最新交易价格报 68 USD，24 小时涨幅为 7.6%。

这只 ETF 的爆发式增长并非孤立事件，而是全球 AI 基础设施扩张浪潮在资本市场的集中投射。它所追踪的内存芯片，正处于 AI 算力扩张中最为关键的瓶颈环节。

为什么一只上线仅两个月的 ETF 能成为全球增长最快的产品？

两个月走完十年路——DRAM ETF 增长里程碑

DRAM 用约两个月的时间走完了传统 ETF 数年才能走完的规模增长路径。其爆发力不仅仅源于二级市场价格的上涨——从发行时的 28 美元到 50 美美元以上，涨幅本身已极具吸引力——更在于资金流入的速度远超预期。

根据公开数据，DRAM 在上市后 10 天内即突破 10 亿美元资产管理规模，25 天内突破 50 亿美元。这一速度打破了既有记录，使其成为 ETF 历史上达到 100 亿美元 AUM 用时最短的产品。截至 2026 年 5 月底，该基金的 AUM 已稳定在约 103 亿美元水平，周度资金流入持续为正。

如此强劲的资金关注度，反映出市场对“纯内存主题”这一差异化投资方向的认可。相较于广泛覆盖逻辑芯片、设备制造等多个环节的 SOXX 或 SMH 等传统半导体 ETF，DRAM 将投资范围严格限制在内存和存储芯片领域，提供了一种更集中、更纯粹的 AI 基础设施暴露方式。

内存芯片为何成为当前 AI 算力扩张中最关键的瓶颈环节？

理解 DRAM 的价格表现，首先需要回答一个核心问题：内存芯片在 AI 算力体系中扮演着怎样的角色？

AI 算力的提升不仅依赖 GPU 等计算芯片的持续演进，更受限于数据在处理器与存储之间的传输效率。高频宽内存（HBM）是 AI 加速卡的核心配套组件，而 DRAM 和 NAND 闪存则承担着服务器系统运行和大规模数据存取的支撑功能。

目前，HBM、DRAM 及 NAND 闪存的供应紧张局面预计将持续到 2026 年之后，核心驱动力来自 AI 应用对高性能内存的爆发性需求，而供给端受制于多重技术瓶颈难以快速扩产。具体而言，HBM 新制程的晶粒尺寸持续增大，导致单片晶圆可切割出的芯片数量下降，削弱了供给弹性；极紫外光光刻工艺在先进制程 DRAM 中的导入进一步约束了产能爬坡速度。

AI 算力的阿喀琉斯之踵——内存芯片供需紧张格局

供给受限的同时，需求端的扩张仍在加速。摩根大通在最新研究报告中大幅上调了 2026 至 2028 年全球存储市场规模预测，预计 2028 年总规模将达 1.7 万亿美元。美光科技已确认其 2026 年全部 HBM 产能已被预订完毕，定价能力显著增强。SK Hynix 在 HBM 市场中占据约 60% 的份额，成为英伟达 AI 生态系统的关键支撑方。

纯内存主题的 ETF 持仓特征：集中度如何、风险敞口如何分布？

DRAM 的高度集中并非设计缺陷，而是其主题定位的必然产物。该 ETF 目前共持有 20 只成分证券，前三大持仓——SK Hynix、Samsung Electronics 和 Micron Technology——合计权重接近 70%，其中仅 SK Hynix 一家即占约 27% 至 28% 的基金权重。

三强鼎立与地域分布——DRAM ETF 持仓集中度一览

该 ETF 中韩国公司的合计权重约为 52%–55%（主要来自 SK Hynix 与 Samsung Electronics），美国公司合计权重约为 32%–35%（主要来自 Micron Technology 等），其余敞口分布在中国台湾（约 7%–8%）、日本（约 3%–4%）及其他地区。三者合计接近 100%。这种地理集中度同样反映了全球内存芯片产能的地域分布特征：韩国企业在 HBM 和 DRAM 领域占有绝对主导地位，美国美光科技在 DRAM 和 NAND 领域同样占据重要位置，而中国台湾的南亚科技和华邦电则作为补充成分纳入组合。

从 HBM 到 DDR5：内存需求的扩容逻辑正在经历怎样的结构演变？

过去两年，市场对内存存储的关注主要集中于 HBM，因为它是 AI 训练芯片的直接配套组件。但随着 AI 应用从训练阶段逐步向推理阶段和智能体 AI 时代演进，内存需求的品类结构正在发生深刻变化。

从 HBM 到 DDR5——AI 内存需求结构演变

瑞银在最新报告中指出，AI 产业的底层需求结构已经开始转变。2023 年前后，大模型需求主要来自训练环节；2024 年至 2025 年，市场重心逐渐转向推理；而从 2026 年开始，行业正加速进入智能体 AI 时代——AI 不仅能回答问题，还能自主规划、执行任务和调用工具，这意味着其对存储资源的消耗将呈现指数级增长。

在这一新框架下，DDR5 的作用正在凸显。智能体 AI 需要大量 CPU 参与任务编排、状态管理、工具调用等环节，而 CPU 最核心的配套存储正是 DDR5。瑞银认为，未来几年最大的需求增量可能来自 DDR5 而非 HBM。摩根大通的预测也支持这一判断，该机构将 2026 至 2028 年服务器内存需求预测上调 5% 至 22%，其中超过 60% 来自 AI 服务器的增量贡献。

这意味着 DRAM ETF 所覆盖的品类需求结构正在从“单一品类”走向“多点开花”——HBM 延续强劲，DDR5 加速跟进，企业级 SSD 亦在 AI 推理需求的拉动下快速扩张。摩根大通预计 eSSD 市场规模在 2026 年将超过 500 EB，占 NAND 总需求的 43%。

三大内存巨头的业绩断层如何支撑 ETF 的持仓价值？

DRAM 的持仓组合之所以能持续获得市场关注，根本原因在于其底层成分公司的业绩增长已脱离传统的“周期性波动”模式，进入由结构性需求驱动的增长通道。

底层引擎——三大内存巨头业绩断层速览

SK Hynix 的最新财报显示，其收入同比增长 198%，净利润同比增长 165%，同时管理层上调了远期业绩指引。Micron 的季度收入从上年同期的约 80 亿美元跃升至超过 230 亿美元。三星电子同样凭借其在 HBM 和 DDR5 领域的产能优势，年内股价涨幅已超过 160%。

值得关注的是，这三家公司的市值均已突破 1 万亿美元门槛，成为全球资本市场最受关注的 AI 基础设施标的。Bloomberg 数据显示，Micron 的净利润预计将从 2025 年的 85 亿美元跃升至 2026 年的 668 亿美元，2027 年有望达到约 1,200 亿美元。如果这些预期逐步兑现，则 DRAM 持仓组合的盈利增长仍具备较高的可见度。

但从估值角度来看，市场的乐观预期已经相当充分。当前 Micron 和 SanDisk 的远期市盈率分别约为 10 倍和 10 倍，但这一估值建立在利润持续增长的基础之上。历史数据显示，Micron 在周期性高点的市盈率曾达到 46 倍，而 SanDisk 曾达到 58 倍，说明当前的估值扩张更多反映的是利润增长预期而非估值泡沫。

超级周期的持续性如何验证？需要注意哪些风险？

任何资产在经历短期爆发式增长后，都需要回答一个根本问题：这种增长能否持续？对于 DRAM 而言，以下三个维度的因素将决定其中期走势。

**资本开支的可持续性。**四大云和平台公司——亚马逊、Meta、Alphabet 和微软——预计 2026 年在 AI 基础设施方面的资本支出将高达 7,250 亿美元。但部分公司正在通过增加债务来支撑这一支出节奏，如果后续资本开支增速放缓，芯片公司的盈利展望和股价将受到直接冲击。

**内存定价周期拐点的风险。**虽然当前 DRAM 和 NAND 合约价格仍处于上行通道，但内存行业历来具有强周期性特征。TrendForce 预测 2026 年第一季度传统 DRAM 合约价格可能环比上涨 55% 至 60%，涨幅本身已隐含价格对供需状况的高度敏感度。一旦需求增速出现边际放缓或供给端产能逐渐释放，价格高位回落将对高度依赖定价杠杆的内存公司利润产生明显压缩效应。

**集中持仓的双刃效应。**DRAM 约 70% 的权重集中在三家公司，这意味着底层成分股的任何负面消息都将对 ETF 净值产生显著影响。另一方面，该基金对韩国市场的高度依赖也使其面临货币汇率风险和政策环境变化的风险。

摩根大通在报告中坦承，存储股目前仍以折价于盈利的估值水平交易，主要原因在于市场对存储价值份额能否持续提升存有疑虑。但该机构认为，AI 已带来全新的需求结构，传统的周期性估值框架已不再适用。这本质上是一个需要时间检验的命题：在“结构性拐点”与“周期性高点”之间，市场的判断机制还未形成共识。

总结

DRAM 的历史新高行情，从本质上是 AI 基础设施投资浪潮在资本市场的集中映射。该 ETF 凭借“纯内存”的差异化定位和底层成分股的业绩支撑，在较短时间内完成了规模的快速扩张。其背后是内存芯片作为 AI 算力核心瓶颈的结构性逻辑——HBM 供不应求、DDR5 需求加速、企业级 SSD 持续扩容，共同构成了多层需求驱动体系。

然而，集中度风险、定价周期拐点以及估值可持续性等变量依然存在。当前价格中所包含的乐观预期程度，将决定该 ETF 在后续市场环境中的表现形态。对于市场参与者而言，理解 DRAM 的结构性逻辑与周期性约束，是评估这一新兴投资工具价值的关键前提。

常见问题

DRAM ETF 是什么类型的基金，它的投资主题是什么？

DRAM 是由 Roundhill Investments 发行的全球首只纯内存主题主动管理型 ETF，于 2026 年 4 月 2 日在美国 Cboe BZX 交易所挂牌上市。该基金将至少 80% 的净资产投向内存和存储芯片公司，重点关注 HBM、DRAM、NAND 闪存等品类，以区别于覆盖范围更广的传统半导体 ETF。

DRAM ETF 的主要持仓有哪些，集中度如何？

目前 DRAM 持有约 20 只成分证券，前三大持仓为 SK Hynix（约 28%）、Samsung Electronics（约 21%）和 Micron Technology（包括正股及衍生品合计约 26%），三者合计占基金权重约 70% 至 75%。

DRAM 的累计涨幅接近 150%，主要驱动因素是什么？

核心驱动是 AI 算力扩张对内存芯片的结构性需求。HBM 作为 AI 加速卡的关键配套组件，目前供不应求且产能扩张受限；同时，AI 应用从训练阶段扩展到推理和智能体 AI 后，对 DDR5 和企业级 SSD 的需求也在加速释放，共同推高了内存公司的盈利预期和股票估值。

投资 DRAM ETF 需要注意哪些风险？

主要风险包括：（1）持仓高度集中于三家公司，底层个股波动将直接影响 ETF 净值；（2）内存行业具有强周期性，合约价格拐点可能带来业绩压力；（3）AI 资本开支如果放缓，将对依赖高资本投入的内存需求产生负面影响；（4）基金对韩国市场的高度依赖带来货币汇率与地域政策风险。

该 ETF 的费用比率和管理方式是怎样的？

DRAM 属于主动管理型 ETF，费用比率为 0.65%。基金管理团队每季度进行一次再平衡，根据各公司在内存和存储领域的市场与收入份额动态调整持仓权重，同时受单家公司权重不超过 25% 的约束。