توصلت IBM وشركة لين فريم إلى اتفاق بشأن التعاون في تطوير عملية منطق متقدمة بحجم 1 نانومتر في آسيا

شركة آي بي إم أعلنت يوم أمس بتوقيت الولايات المتحدة عن تعاون مع شركة لام ريسيرش، شركة تصنيع معدات أشباه الموصلات، لتطوير تقنية المعالجة المتقدمة للمنطقة 1 نانومتر من الدوائر المنطقية. ستستمر الاتفاقية الجديدة لمدة خمس سنوات، مع التركيز على تطوير مواد جديدة، وتقنيات الحفر والترسيب المتقدمة، والطباعة باستخدام تقنية EUV عالية النسبة البؤرية (High NA EUV).

وتفيد المعلومات التي حصلت عليها شركة آي بي إم أن الشركتين ستدمجان قدرات البحث المتقدمة في حرم آي بي إم في ألباني مع أدوات العمليات الشاملة والتقنيات المبتكرة من لام ريسيرش، حيث ستقوم الفرق ببناء والتحقق من عمليات كاملة للدوائر النانوية والطبقات المكدسة، بالإضافة إلى تزويد الأجهزة بالطاقة من الخلف. تهدف هذه القدرات إلى نقل أنماط EUV عالية النسبة البؤرية بشكل موثوق إلى طبقات الأجهزة الفعلية، لتحقيق معدلات عالية من النجاح، ودعم الاستمرارية في التصغير، وتحسين الأداء، وتوفير مسارات إنتاج قابلة للتنفيذ للأجهزة المنطقية المستقبلية.

وقال موكيش خار، المدير العام لشؤون أشباه الموصلات في آي بي إم:
“على مدى أكثر من عشر سنوات، كانت لام ريسيرش شريكًا هامًا لآي بي إم، وساهمت في تحقيق اختراقات رئيسية في تصغير الدوائر المنطقية وتصميم الأجهزة، مثل تقنية النماذج النانوية والرقاقة التي أطلقتها آي بي إم في عام 2021، والتي كانت أول رقاقة بمعمارية 2 نانومتر على مستوى العالم. نحن سعداء بتوسيع التعاون لمواجهة التحديات القادمة معًا، بهدف تطوير تقنيات الطباعة باستخدام EUV عالية النسبة البؤرية وتقنيات أقل من 1 نانومتر.”

وقالت فاهد واهد، المدير التنفيذي للتقنية والتنمية المستدامة في لام ريسيرش:
“مع دخول الصناعة عصر التصغير ثلاثي الأبعاد، يعتمد التقدم على إعادة التفكير في كيفية دمج المواد والتقنيات وطرق الطباعة في نظام عالي الكثافة. نحن فخورون بأن نواصل العمل مع آي بي إم، استنادًا إلى نجاحاتنا السابقة، لدفع حدود تقنية الطباعة باستخدام EUV الجافة وموادها، وتسريع تطوير ترانزستورات ذات استهلاك منخفض للطاقة وأداء عالي، وهو أمر حاسم لعصر الذكاء الاصطناعي.”